Gigadevice GD25LE128EXH : ชิปหน่วยความจำแบบ SPI NOR flash ขนาดจิ๋ว 3×3 มม. และมีความจุ 128Mbit

GigaDevice Semiconductor เปิดตัว GD25LE128EXH ชิปหน่วยความจำแบบ SPI NOR flash ความจุ 128Mbit ในแพ็คเกจ FO-USON8 ขนาดจิ๋ว 3x3x0.4 มม. ซึ่งออกแบบมาสำหรับ IoT ในอุปกรณ์สวมใส่, การดูแลสุขภาพ และผลิตภัณฑ์ระบบเครือข่าย

GD25LE128EXH รองรับความถี่สูงสุด 133MHz พร้อม 4-channel ที่สามารถส่งข้อมูลได้สูงสุด 532Mbit/s นอกจากนี้ GigaDevice ยังเน้นการใช้พลังงานต่ำเพียง 6mA เมื่ออ่านข้อมูลหรือใช้พลังงานลดลง 45% เมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้า

สเปคของ GD25LE128EXH:

• ความจุ – 128Mb
• I/O Bus – รองรับ Single I/O, Dual I/O, Quad I/O, QPI
• ความถี่ – 133 MHz (x1 x2 x4)
• คุณสมบัติ
  • H/W RESET
  • WP#
  • Security Registers ด้วย OTP Locks
  • Suspend
  • Unique ID
  • HOLD#
• แรงดันไฟฟ้า – 1.65V~2.0V
• แพ็คเกจ – FO-USON8 3×3มม.
• ช่วงอุณหภูมิ – -40°C~85°C; -40°C~105°C หรือ -40°C~125°C

GD25LE128E หน่วยความจำ SPI flash มีจำหน่ายในแพ็คเกจต่างๆ เช่น SOP8 208mil, USON8 4x4mm, WSON8 6x5mm, WSON8 8x6mm และ WLCSP (4-4 ball array) ซึ่งหมายความว่าแพ็คเกจ FO-USON8 ของ GD25LE128EXH ช่วยลดพื้นที่ลง 70% และลดความหนาลง 50% เมื่อเทียบกับแพ็คเกจ WSON8 ขนาด 6x5x0.8 มม. ที่ใช้งานโดยทั่วไปสำหรับผลิตภัณฑ์นี้ และ Gigadevice ยังกล่าวด้วยว่า GD25LE128EXH ใช้พื้นที่น้อยลงถึง 85% และลดต้นทุนค่าวัสดุด้วย

GD25LE128EXH ในแพ็คเกจ FO-USON8 ขนาด 3x3x0.4 มม. ยังสามารถใช้กับผลิตภัณฑ์ในตระกูลที่มีความจุ 64Mbit และผลิตภัณฑ์ USON8 ที่มีความจุต่ำกว่า 3x4x 0.6 มม. ทำให้อัปเกรดเป็น 128Mbit ได้ง่ายโดยไม่ต้องเปลี่ยนการออบแบบ PCB layout

ขณะนี้ GD25LE128EXH กำลังอยู่ในกระบวนการผลิตจำนวนมาก และอุปกรณ์ขนาดเล็กอีกรุ่น GD25LE64E 64Mbit พร้อมแพ็คเกจ FO-USON8 ขนาด 3×20.4 มม. จะเริ่มส่งมอบตัวอย่างภายในสิ้นเดือนนี้ ข้อมูลเพิ่มเติมสามารถพบได้ในเพจสินค้าและข่าวประชาสัมพันธ์

ที่มา : TLS

แปลจากบทความภาษาอังกฤษ : Gigadevice GD25LE128EXH is a tiny 3x3mm 128Mbit SPI NOR flash